三星电子已认真敲定其下一代光刻技巧的导入时分表。8月11日，据韩媒报说念，三星电子Park Chang-min Master在“2026下一代光刻+图案化学术大会”上默示，公司策画从1纳米（A10）制程开动，认真将高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技巧诈欺于量产，展望2030年阁下收尾商用化，现在正连协力量股东技巧设备。

ASML的EUV光刻设备成见图

技巧阶梯：1纳米为High-NA EUV首先

三星自8纳米以下先进制程起便已将EUV技巧诈欺于量产。EUV的光波长为13.5纳米，仅为现存氟化氩（ArF）光源的约十三分之一，可在更少次数的图案化要领中收尾超轻微电路。

High-NA EUV通过将透镜数值孔径从0.33普及至0.55，可提高永别率，收尾更密致的电路图案。诈欺该技巧后，原来需要屡次图案化的超轻微工艺可通过单次图案化完成，有益于镌汰制形资本、普及分娩成果，同期使电路瞎想愈加机动。

三星原策画在2纳米或1.4纳米节点引入High-NA EUV，但Park Chang-min Master默示：“2纳米、1.4纳米等节点诚然挑起用入，但现在仍需要技巧层面的进一步完善”，因此将导入节点更始至1纳米（A10）及以下制程。

三星电子半导体盘问所Foundry工艺设备团队Master朴昌民

技巧挑战：高资本与材料配套穷苦

High-NA EUV濒临多重技巧扼制。该设备造价极为崇高，同期对光罩、贯注薄膜等关系材料技巧也提议了更高的条目。业界展望，畴前先进制程中将夹杂使用现存EUV屡次图案化与High-NA EUV单次图案化两种有筹办。

Park Chang-min Master展望：“到1.4纳米及1纳米制程箝制，0.33 NA EUV屡次图案化仍将是主流技巧阶梯。在此之后的下一代制程，High-NA图案化将成为主流”。

量产时分表：2030年主张锁定

三星现在已完成2纳米制程的量产凯时体育游戏app平台，策画于2029年收尾1.4纳米制程量产，并于2030年推出1.4纳米的修订版块（SF1.4+）及1纳米制程。这一都线图与High-NA EUV的量产导入时分高度吻合。